化合物半导体?结晶材料
滨苍笔基板
Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体の滨苍笔基板を製造しております。最新の市場ニーズや技術的要求に応える高品質な製品を提供しております。
| 製品名 | 滨苍笔（インジウムリン、リン化インジウム）基板 |
|---|---|
| 主な一次用途 | 発光素子、受光素子、超高速电子デバイス、赤外线検出器等 |
ラインアップ
| Size | Orientation | Dopant | |
|---|---|---|---|
| 滨苍笔基板 | 2inch 3inch 4inch |
（100） | S, Sn, Zn, Fe, None |
用途例
光通信モジュール
（受発光素子）
基地局
データセンター
新しい用途へのご提案
高性能な衝突防止センサを実现可能
特长
高い加工精度
- デバイス品质向上のため、高い加工精度の基板を提供しております。
TTV（Total Thickness Variation）：1.5?m
低転位欠陥密度
- 当社结晶の育成最适化により、大口径基板において低転位の欠陥密度を実现しております。
TOP
Avg. 37 cm-2
Max. 664 cm-2
Bottom
Avg. 15 cm-2
Max. 581 cm-2
4-inch S-doped InP 基板 EPD マップ
エピ成长后のモフォロジー
- 当社基板の面方位最适化により、良好なモフォロジーのエピ成长に寄与いたします。
| InGaAs | 0.05 μm |
|---|---|
| InP | 2.1 μm |
| InGaAs | 4.0 μm |
| InP | 2.0 μm |
| S-InP Sub. | |
加工后の基板欠け防止技术
- 当社基板端面の特殊加工により、デバイス製造プロセスにおける基板の割れ、欠けを低减する事が可能です。
従来加工
新技术加工
基板端部顕微镜写真
基板表面不纯物の低减
- 基板表面処理の最适化により、エピ成长后の基板および界面における不纯物（厂颈、颁）の低减に寄与いたします。
従来基板
改善后基板
エピ成长后の厂滨惭厂デプスプロファイル
お问い合わせ
ウェブから
※24时间受け付けております。