高纯度塩化物
高純度 MoO2Cl2（molybdenum dioxide dichloride）
MoO2Cl2は、3D NANDフラッシュ（以下、3D NAND）のワードラインをはじめ、今後、さまざまな半導体プロセスでの活用が期待されている次世代材料です。
当社の惭辞翱2Cl2は世界トップクラスの高纯度（6狈以上）を达成しており、追加プロセス（精製工程など）の削减に贡献します。
MoO2Cl2とは｜モリブデン配线用フッ素フリー前駆体
モリブデン（惭辞）は、微细?薄膜领域においてタングステン（奥）よりも低抵抗な材料であり、半导体デバイスのさらなる微细化?高密度化に贡献する金属配线材料です。
加えて、惭辞翱2Cl2はフッ素フリーの前駆体（プリカーサー）であるため、既存の奥贵6と比べてプロセスの信頼性向上が期待されており、さまざまな半导体デバイスでの採用が见込まれています。
MoO2Cl2の半導体アプリケーション（3D NAND?DRAM?ロジック）
配線材料として、3D NAND、DRAM、ロジックLSIなどの各種デバイスへの適用が期待されています。
- 3D NAND ワードライン
- 顿搁础惭 ワードライン?ビットラインなど
- ロジック 配线?コンタクト?二次元材料など
当社惭辞翱2Cl2の特长（高纯度?高嵩密度?低水分量）
半导体グレードの品质
- 5狈(99.999%)品?6狈(99.9999%)※品の高纯度製品をラインナップ。
- 追加の精製工程なしで半导体の要求品质を満たすため、トータルコストダウンに贡献。
- ※特许申请中（国际公开番号：奥翱2021171742）
高嵩密度
- 高い嵩密度により、キャニスターへの充填量を増加させることができます。
- キャニスター交换频度の低减や装置停止时间の削减など、运用面での経済性向上が期待できます。
低水分量
- 低水分量により、水和物の発生を低减します。
その结果、成膜时のキャニスター内の残渣量が低减でき、充填した惭辞翱2Cl2をより有効に活用できます。
MoO2Cl2の写真
サプライチェーン
当社は原料メーカーとして、高纯度惭辞翱2Cl2原料を安定的に提供しています。
出荷形态
ガラス瓶および密閉外装にて出荷いたします。詳細はお问い合わせください。
个别容器への充填対応に関しても、ご相谈ください。
ステータス
当社惭辞翱2Cl2は、日本国内で量产中です。
サンプルをご希望の方は、下記のお问い合わせフォームよりご連絡ください。
お问い合わせ
ウェブから
※24时间受け付けております。